G-33E4型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和生產,由于本機找平機構**，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光, 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機,它不僅能完成普通光刻機的任何工作,同時還是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

主要構成

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作臺

適用于110mm×110mm以下、厚度(包括非圓形基片

采用版不動，片動的下置式三層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙；承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式

4.可靠性高
采用PLC控制、進口（日本產）電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機運行具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。

5. 特設功能
除標準承片臺外，我公司還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

（1）高均勻蠅眼曝光頭。

a.采用350W直流高壓球形汞燈；

b.曝光面積：110mm×110mm；

c.曝光強度：≥20mW/cm2汞燈（進口）；

d.光源平行性：≤3.5°；

e.照明不均勻性： ±3%（ Φ100mm范圍）；

g.套刻精度：1μm

（2）觀察系統為上下各兩個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到19″高清液晶顯視屏上。

a. 單筒顯微鏡為1.6X～10X連續變倍顯微鏡；

b. CCD攝像機靶面對角線尺寸為：1/3″；

c. 采用19″液晶監視器，其數字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d. 觀察系統放大倍數為：1.6×57=91倍（*小倍數）

10×57=570倍（*大倍數）；