G-31D4型高精密光刻機  

產品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。主要構成 本設備為板板對準雙面曝光<span style="font-family:;" "="">

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統、二臺4"LED專用曝光頭、PLC電控系統、高精度對準工作臺、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺等組成。

主要功能特點

1.適用范圍廣

適用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結構

Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用進口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。采用進口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統、真空管路系統和

5. 特設功能

不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題  

主要技術指標

2、曝光面積：102×102mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作面溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光模式：雙面同時曝光

12、對準范圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉范圍：Q向旋轉調節≤±5°

15、顯微系統：雙視場CCD系統，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附5"方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：適用于4"基片，基片厚度0.1－2mm。